[16a-B414-1~10] 17.3 層状物質

△ [16a-B414-3] Fin構造への低温有機金属化学気相成長法によるWS₂の成膜

〇(M2)張 桐永¹、町田 英明³、石川 真人³、須藤 弘³、若林 整⁴、横川 凌^1,2、澤本 直美^1,2、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.気相成長(株)、4.東工大)

キーワード：MOCVD、WS2、Fin

二硫化タングステン（WS₂）は代表的な二次元積層材料であり、適度に広いバンドギャップや薄膜で高い移動度を有することから次世代LSIのMOSFETのチャネル材料として高い可能性が期待されている。我々はこれまでに新規開発した有機金属原料を用いてSi基板上において低温で連続なWS₂薄膜を作製することに成功している。本報告ではさらに、次世代チャネル材料への適用可能性を評価するため、Fin構造への成膜を試みその結果を報告する。