[16a-B508-1~10] 12.2 評価・基礎物性

[16a-B508-10] 分子性メモリスタ候補物質(Et-4BrT)[Ni(dmit)₂]₂の物性

〇大島 勇吾¹、竹延 大志²、蒲 江²、石黒 圭祐²、加藤 礼三¹、山本 浩史³、草本 哲郎³ (1.理研、2.名大工、3.分子研)

キーワード：メモリスタ、非線形伝導

L. O. Chuaにより提唱された受動素子『メモリスタ』は、情報の保持に電力を必要とせず、電荷に依存して抵抗が連続的に変化するアナログ的なメモリーとしての利用が可能になるため、次世代の省エネ大容量メモリーや量子コンピューター等への活用が期待されている。しかしながら、これまでのメモリスタの報告例の多くは証拠が不十分であり、理想的なメモリスタが実在する事が実験的に示されていない。最近、我々は磁性を担う層と伝導を担う層が交互に積層するBilayer型分子性物質において、メモリスタ機能として期待されるI-V特性を確実に示す物質を発見したのでこれを報告する。