[16a-D221-1~3] 15.2 II-VI and related compounds

△ [16a-D221-3] Improving the crystallinity and surface morphology of SnTe films by controlling the growth temperature

〇Nan Su¹, Hongfu Gun¹, Kota Sugimoto¹, Hayato Kawashima¹, Masakazu Kobayashi^1,2 (1.Waseda Univ. Dept. of EE. & BS., 2.Waseda Univ. Inst. for Mat. Sci.& Tech)

Keywords:MBE, Topological crystalline insulator, Surface morphology

我々はこれまでにトポロジカル結晶絶縁体として有望なSnTeをMBE法を用いて作製した。SnTeの性質を更に向上するために、GaAs(100)基板上にZnTeバッファ層を導入した。今回の研究はJ_Te/J_Snを0.8~0.9に固定しT_g＝200 ˚C〜220 ˚Cで成長し、試料の結晶性と表面状態について考察し、成長温度の最適化について検討した。