[16a-D221-1~3] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

△ [16a-D221-3] 成長温度の制御によるMBE成長SnTe薄膜の結晶性と表面状態の改善

〇蘇 楠¹、郭 洪甫¹、杉本 昂太¹、川島 勇人¹、小林 正和^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)

キーワード：分子線エピタキシー法、トポロジカル結晶絶縁体、表面状態

我々はこれまでにトポロジカル結晶絶縁体として有望なSnTeをMBE法を用いて作製した。SnTeの性質を更に向上するために、GaAs(100)基板上にZnTeバッファ層を導入した。今回の研究はJ_Te/J_Snを0.8~0.9に固定しT_g＝200 ˚C〜220 ˚Cで成長し、試料の結晶性と表面状態について考察し、成長温度の最適化について検討した。