2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

[16a-D419-1~11] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

2023年3月16日(木) 09:00 〜 12:00 D419 (11号館)

飯浜 賢志(東北大)、日置 友智(東北大)

09:45 〜 10:00

[16a-D419-4] Temperature Dependence of Spin-Charge Conversion Efficiency for Co3Sn2S2 Thin Film

Takeshi Seki1、Yong-Chang Lau1,2、Junya Ikeda1、Kohei Fujiwara1、Akihiro Ozawa1、Satoshi Iihama3,4、Kentaro Nomura1,5、Atsushi Tsukazaki1,6 (1.IMR, Tohoku Univ.、2.IOP, CAS、3.FRIS, Tohoku Univ.、4.WPI-AIMR, Tohoku Univ.、5.Dept. of Phys., Kyushu Univ.、6.CSIS, Tohoku Univ.)

キーワード:Spin Hall effect, Topological material, Spin torque ferromagnetic resonance

We report the temperature (T) dependence of spin-charge conversion for the Co3Sn2S2 (CSS) thin film by measuring the spin-torque ferromagnetic resonance for the trilayer consisting of CSS / Cu / CoFeB. A definite increase in the spin-charge conversion efficiency is observed at T below the phase transition temperature, indicating that the phase transition to the ferromagnetic CSS promotes the highly efficient spin-charge conversion.