[16a-D505-1~11] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

△ [16a-D505-4] Low threshold room temperature stimulated emission originating from electron-hole plasmas in degenerate ZnO:Ga thin films

〇Aika Tashiro¹, Yutaka Adachi², Takashi Uchino¹ (1.Kobe Univ., 2.NIMS)

Keywords:degenerate semiconductor, zinc oxide, stimulated emission

Mott密度のキャリア濃度を有するn型ドープ半導体では，フェルミ準位が伝導帯中の深い位置に存在し，多体効果に由来した特異な光学過程が予測される。そこで本研究では，高品位 Gaドープ縮退ZnO薄膜を作製し光学測定を行った。光吸収測定の結果，室温で吸収端付近に吸収増大が観測され，その強度は温度低下に伴い増大することが分かった。さらにPL測定より，非ドープZnOよりも低閾値でEHP由来の誘導放出発光を観測した。