[16a-D505-1~11] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [16a-D505-4] 縮退ZnO:Ga薄膜の電子-正孔プラズマによる低閾値室温誘導放出発光

〇田代 愛佳¹、安達 裕²、内野 隆司¹ (1.神戸大理、2.物材機構)

キーワード：縮退半導体、酸化亜鉛、誘導放出

Mott密度のキャリア濃度を有するn型ドープ半導体では，フェルミ準位が伝導帯中の深い位置に存在し，多体効果に由来した特異な光学過程が予測される。そこで本研究では，高品位 Gaドープ縮退ZnO薄膜を作製し光学測定を行った。光吸収測定の結果，室温で吸収端付近に吸収増大が観測され，その強度は温度低下に伴い増大することが分かった。さらにPL測定より，非ドープZnOよりも低閾値でEHP由来の誘導放出発光を観測した。