[16a-D511-1~10] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [16a-D511-2] Laser-induced Liquid-phase Crystallization and Optical Characterization of GeSn Wires on Si substrate

〇Yuki Kondo¹, Naoto Tabuchi¹, Mizuki Kuniyoshi², Takuma Kobayashi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.ULVAC, Inc.)

Keywords:GeSn, Si substrate, laser annealing

Si基板上に光学素子と電子デバイスを融合する技術の光源部への応用に向け、Sn添加や引張歪みの印加により直接遷移型バンド構造へ変調するⅣ族半導体材料のGeが期待されている。しかし、低いSnの固溶限や成長中の結晶欠陥に起因する低い発光効率が課題となっている。そこで我々は、レーザー溶融結晶化を用いて、Si基板上の良質なGeSn細線の形成を検討し、フォトルミネッセンス測定による光学特性評価を行った。