[16a-D511-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [16a-D511-2] Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化と光学特性評価

〇近藤 優聖¹、田淵 直人¹、國吉 望月²、小林 拓真¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.アルバック協働研)

キーワード：GeSn、Si基板、レーザーアニール

Si基板上に光学素子と電子デバイスを融合する技術の光源部への応用に向け、Sn添加や引張歪みの印加により直接遷移型バンド構造へ変調するⅣ族半導体材料のGeが期待されている。しかし、低いSnの固溶限や成長中の結晶欠陥に起因する低い発光効率が課題となっている。そこで我々は、レーザー溶融結晶化を用いて、Si基板上の良質なGeSn細線の形成を検討し、フォトルミネッセンス測定による光学特性評価を行った。