9:45 AM - 10:00 AM
[16a-D511-4] Exploration of under layers for improving solid phase crystallized Ge thin films
Keywords:Germanium, thin films, solid phase crystallization
我々は固相成長の前駆体となる非晶質Geの密度制御を行い、大粒径化や高移動度化を達成してきた。しかし、薄い膜(≤ 50 nm)においては粒径、電気的特性が著しく劣化し、薄膜トランジスタ特性は制限されてきた。一方、固相成長においては下地の種類によってGe(Sn)層の結晶性、電気的特性が変化することが知られている。本研究では薄膜領域(<100 nm)にフォーカスし、下地層の種類が我々の固相成長Ge薄膜に与える影響を調査した。