[16a-D511-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[16a-D511-4] 固相成長Ge薄膜の性能改善に向けた下地層の探索

〇居倉 功汰¹、前田 真太郎¹、石山 隆光¹、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大学)

キーワード：ゲルマニウム、薄膜、固相成長

我々は固相成長の前駆体となる非晶質Geの密度制御を行い、大粒径化や高移動度化を達成してきた。しかし、薄い膜（≤ 50 nm）においては粒径、電気的特性が著しく劣化し、薄膜トランジスタ特性は制限されてきた。一方、固相成長においては下地の種類によってGe（Sn）層の結晶性、電気的特性が変化することが知られている。本研究では薄膜領域（<100 nm）にフォーカスし、下地層の種類が我々の固相成長Ge薄膜に与える影響を調査した。