[16a-D511-1~10] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [16a-D511-5] Selective nucleation in GeSn layers for high-speed thin-film transistors

〇Shintaro Maeda¹, Takamitsu Ishiyama¹, Kenta Moto², Keisuke Yamamoto², Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.Kyushu Univ.)

Keywords:Germanium, Thin film, Solid phase crystallization

高速薄膜トランジスタ（TFT）の実現のため、絶縁体基板上にGe系薄膜を合成する研究が盛んに行われている。我々は固相成長法にて、非晶質前駆体の密度制御をもとにGe系薄膜の高品質合成に取り組んできた。しかし、薄膜（≤ 50 nm）においては粒径、電気的特性が著しく劣化し、TFT特性は制限されてきた。本研究では、深さ方向で結晶核発生を制御し、Geベース極薄膜の高品質合成を検討した。