[16a-D511-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [16a-D511-5] 高速薄膜トランジスタに向けたGeSn極薄膜の選択的核生成

〇前田 真太郎¹、石山 隆光¹、茂藤 健太²、山本 圭介²、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大学、2.九州大学)

キーワード：ゲルマニウム、薄膜、固相成長

高速薄膜トランジスタ（TFT）の実現のため、絶縁体基板上にGe系薄膜を合成する研究が盛んに行われている。我々は固相成長法にて、非晶質前駆体の密度制御をもとにGe系薄膜の高品質合成に取り組んできた。しかし、薄膜（≤ 50 nm）においては粒径、電気的特性が著しく劣化し、TFT特性は制限されてきた。本研究では、深さ方向で結晶核発生を制御し、Geベース極薄膜の高品質合成を検討した。