[16a-D511-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[16a-D511-7] 非晶質Ge/Mg/SiO₂積層構造の固相成長

〇(B)森本 敦己¹、平井 杜和¹、髙細工 彩斗¹、小嶺 龍生¹、高倉 健一郎¹、角田 功¹ (1.熊本高専)

キーワード：半導体、結晶性

我々はGe/Mg/SiO₂積層構造の固相成長過程について評価した．この結果，励起レーザ波長457nmで測定したところ，250-400℃で2時間熱処理を施した試料では，Mg₂Ge結晶に起因ピークが観測された．更に350℃以上では，Ge結晶に起因ピークも加えて観測された．また，励起レーザ波長633nmで測定したところ，400℃ではGe結晶のみが観測された．400℃ではMg₂Ge結晶が形成されながら，非晶質GeのMg層交換成長が引き起こされたと推測している．