[16a-E102-1~6] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-E102-5] Mist CVD法による各種In系粉末を出発原料に用いたα-In₂O₃の成長機構に関する検討

〇山本 拓実¹、田口 義士¹、山田 梨詠¹、永井 裕己¹、関口 敦¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、山口 智広¹ (1.工学院大)

キーワード：Mist CVD、酸化インジウム、成長メカニズム

Mist CVD法は, 大気圧下での成長が可能であるため, 簡易的な装置構成かつ低コストで成膜を行う手法であり, 酸化インジウム(In₂O₃)や酸化ガリウム(Ga₂O₃)などの酸化物半導体単結晶膜が実現されている. しかし, 溶液中の反応を含め成長メカニズムのほとんどが解明されていない. 本研究ではMist CVD法による各種In系粉末を用いたα-In₂O₃成長を行った. またそれらの結果を通して結晶成長メカニズムの検討を行った.