[16a-E402-1~12] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[16a-E402-4] ESR Study of Charge States in the Programming Process of Organic Transistor Memory

〇(M1)Rinto Shiokawa¹, Yamaguchi Seira¹, Inai Satoshi¹, Nagase Takashi², Marumoto Kazuhiro^1,3 (1.Univ. of Tsukuba, 2.Osaka Metropolitan Univ., 3.TREMS, Univ. of Tsukuba)

Keywords:Organic transistor

​有機トランジスタは溶液プロセスにより簡便に大面積化可能な注目を集めており、電荷蓄積層を組み込んだ有機トランジスタメモリは単一デバイスでのイメージセンサを実現する。しかし、デバイス駆動中における電荷蓄積機構は提案段階であり、正確な動作機構は詳細には解明されていない。ESR法を用いることで電荷蓄積を直接的に分子レベルで観測し、動作機構を微視的な視点から研究できる。本研究では有機半導体層にP3HT、電荷蓄積層にTIPS-pentaceneと絶縁性高分子PMMAの複合膜を用いて有機電界効果トランジスタメモリを作製し、ESR法により電荷蓄積機構を詳細に研究したので報告する。