[16a-PA04-1~7] 3.5 超高速・高強度レーザー（旧3.6）

[16a-PA04-4] 印加電場による高次高調波発生のトンネリング過程の制御

〇西留 比呂幸¹、大元 幹人¹、永井 恒平²、内田 健人²、村上 雄太³、河原 憲治⁴、枝 淳子¹、大久保 瞳¹、蓬田 陽平¹、吾郷 浩樹^4,5、田中 耕一郎^2,6、柳 和宏¹ (1.都立大理、2.京大理、3.理研、4.九大GIC、5.九大IGSES、6.iCeMS)

キーワード：高次高調波発生、単層カーボンナノチューブ、極端非線形光学

固体系における高次高調波発生のプロセスは、高強度電場によるバンド間のキャリアのトンネリング過程、バンド内駆動、および再結合からなると考えられている。このトンネリング過程は、電場強度だけでなく、キャリア密度の影響も受けることが期待される。本研究では、ゲーティング技術によりキャリア密度を制御した上でレーザー強度も制御した。これによるトンネリング過程の変化と高次高調波への影響を実験と計算の両方から検証した。