[16a-PB02-1~11] 9.5 New functional materials and new phenomena

[16a-PB02-6] A study on field-effect in bismuth nanometer-order thin films

〇Jinya Kimura¹, Rio Miyazaki², Ryo Tomita¹, Toshihiro Yoshizumi¹ (1.Sci.Eng Saitama Univ., 2.Eng Saitama Univ.)

Keywords:thin film, field effect

ビスマス(Bismuth)は膜厚を数nmから数十nm程度の薄膜とすることで発現する量子サイズ効果から半金属ー半導体転移を示す。本研究では、量子サイズ効果が期待される膜厚範囲において、ビスマス薄膜の電界効果応答特性を研究した。ビスマス薄膜の電界効果応答の評価は、ビスマス薄膜を伝導チャネルとする電界効果トランジスタ(Field-effect transistor ; FET)試料にて実験を行った。