[16a-PB04-1~1] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16a-PB04-1] ナノスケール半導体中の電子の時間発展から不純物分布を予測するモデル化

〇村口 正和¹、原田 和輝¹、小林 祐貴¹、伊藤 佳卓¹、須子 統太² (1.北科大工、2.早大社学)

キーワード：電子ダイナミクス、機械学習、時間発展計算

電子密度の時間発展と不純物分布の関係を機械学習を用いてモデル化し、電子伝導過程から逆に不純物分布を予測することに取り組んでいる。本報告では、逆問題を解いているという利点を活かし、予測結果として得られた不純物分布をハミルトニアンに取り込み、再度物理シミュレーションを行うことで、電子伝導過程および透過率を予測結果の評価指標として用いる方法を提案する。