The 70th JSAP Spring Meeting 2023

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Poster presentation

13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16a-PB05-1~5] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Thu. Mar 16, 2023 9:30 AM - 11:30 AM PB05 (Poster)

9:30 AM - 11:30 AM

[16a-PB05-1] Electronic Structures of V10 in Si Crystal

Daiki Kamihara1, Taito Shimizu1, 〇Kazuyuki Uchida1 (1.Kyoto Sangyo Univ.)

Keywords:semiconductor, vacancy, first-principles calculations

シリコン結晶中の10原子空孔V10の原子構造と電子構造を、第一原理計算で調べた。用いたスーパーセルのサイズが「過去の報告と同じ(小さい)場合」と「今回新しく調べた、それよりも大きい場合」では、電子構造の計算結果に定性的な違いがあることが分かった。このような電子構造の違いが生じる物理的な背景および、それを反映した原子構造のヤンテラー歪みの違いについて、報告する。