9:30 AM - 11:30 AM
[16a-PB05-1] Electronic Structures of V10 in Si Crystal
Keywords:semiconductor, vacancy, first-principles calculations
シリコン結晶中の10原子空孔V10の原子構造と電子構造を、第一原理計算で調べた。用いたスーパーセルのサイズが「過去の報告と同じ(小さい)場合」と「今回新しく調べた、それよりも大きい場合」では、電子構造の計算結果に定性的な違いがあることが分かった。このような電子構造の違いが生じる物理的な背景および、それを反映した原子構造のヤンテラー歪みの違いについて、報告する。