2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-PB05-1~5] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2023年3月16日(木) 09:30 〜 11:30 PB05 (ポスター)

09:30 〜 11:30

[16a-PB05-2] 三元系ウルツ鉱型酸化物半導体におけるイオン交換反応

鈴木 一誓1、小俣 孝久1 (1.東北大)

キーワード:イオン交換、酸化物半導体

酸化物とイオン結晶とのイオン交換が生じるかどうかは、反応のギブスエネルギー差(ΔG)の正負により決定される。本研究では、様々な三元系ウルツ鉱型酸化物とイオン結晶(ハロゲン化物または硝酸塩)とのイオン交換反応のΔHを第一原理計算により求めた。得られた結果は、実験結果とよく整合し、第一原理計算によって三元系ウルツ鉱型酸化物のイオン交換の可否を予測できることが示された。