[16p-A301-1~6] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16p-A301-1] [第53回講演奨励賞受賞記念講演] フレキシブル多接合太陽電池に向けた多結晶InGaAs近赤外吸収層

〇西田 竹志^1,2、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大院、2.学振特別研究員)

キーワード：Al誘起層交換Ge、InGaAs、多結晶