[16p-A301-7~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-A301-10] 偏光を用いたチャネリングイオン注入の角度検出

丸橋 拓実¹、佐藤 寿弥¹、米澤 喜幸²、〇加藤 正史¹ (1.名工大、2.産総研)

キーワード：SiC、イオン注入、チャネリング

SiCや GaNなどパワー半導体素子の作製においてチャネリング現象を利用したイオン注入は、低エネルギーで試料内部まで 深くイオンを 注入 させることができるため注目されている。本研究では、チャネリングイオン注入に必要な角度検出を、高速かつ安価な方法である光学的手法により行った。