[16p-A301-1~6] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [16p-A301-2] 液体金属の完全濡れ現象の探求とIII-V族りん化物製膜への展開

〇勝部 涼司¹、今宿 晋²、鳴海 大翔¹、安田 秀幸¹ (1.京大院工、2.東北大金研)

キーワード：III-V族半導体、完全濡れ、薄膜結晶成長