[16p-A301-1~6] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16p-A301-5] 2段階成長InAsバッファを用いたGaAs基板上InAsSb/InAsPの歪補償構造と発光特性の調査

〇本部 好記¹、中川 翔太¹、岩切 優人¹、前田 幸治¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：InAsSb、MOVPE、量子井戸

ガスセンシング用デバイスには小型、高効率化とへ課題があり、歪補償を用いたType-Ⅰ型量子井戸は有用である。前回の報告ではInAs基板上InAsSb/InAsPの室温PLにおいて良好な発光特性が得られた。本研究では2段階成長InAsバッファを用いてGaAs基板上にInAsSb/ InAsP量子井戸を成長させ、GaAs基板上での発光を確認することできた。