2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[16p-A304-1~13] 13.9 化合物太陽電池

2023年3月16日(木) 13:00 〜 16:30 A304 (6号館)

反保 衆志(産総研)、野瀬 嘉太郎(京大)

16:00 〜 16:15

[16p-A304-12] Cu3N薄膜及びCu2O薄膜のO2アニール処理による電気抵抗低減

〇(M1)伊勢 真矢1、金井 雄介1、石川 博康1,2 (1.芝浦工大、2.グリーンエレクトロニクス国際研究研究センター)

キーワード:半導体、薄膜、太陽電池

MOCVD堆積CuO薄膜は高抵抗で明確なp型伝導を示さず、O2アニール処理によりp型化と低抵抗化するものの、その抵抗率は依然と高い。XPS分析の結果、酸化が不十分であることが示唆されている。本研究ではRFマグネトロンスパッタリング法で作製したCu3N薄膜、MOCVD法で作製したCu2O薄膜をO2アニール処理(500℃, 30min)してCuO薄膜を作製し(以後それぞれをCuO(Cu3N)、CuO(Cu2O))、同処理MOCVD堆積CuO薄膜(以後CuO)を含めて特性比較を行った。熱起電力測定ではどちらも高温側電極が負となり、p型伝導であった。表面に形成したInドット間のI-V測定の結果、CuO(Cu3N)の抵抗値が最も小さくなった。傾きから求めた活性化エネルギーについて、全ての試料が110-130meVの範囲を示し、その差は5%程度と大きな違いはなく、キャリア供給源は同一と考えている。