[16p-A304-1~13] 13.9 化合物太陽電池

[16p-A304-12] Cu₃N薄膜及びCu₂O薄膜のO₂アニール処理による電気抵抗低減

〇(M1)伊勢 真矢¹、金井 雄介¹、石川 博康^1,2 (1.芝浦工大、2.グリーンエレクトロニクス国際研究研究センター)

キーワード：半導体、薄膜、太陽電池

MOCVD堆積CuO薄膜は高抵抗で明確なp型伝導を示さず、O2アニール処理によりp型化と低抵抗化するものの、その抵抗率は依然と高い。XPS分析の結果、酸化が不十分であることが示唆されている。本研究ではRFマグネトロンスパッタリング法で作製したCu3N薄膜、MOCVD法で作製したCu2O薄膜をO2アニール処理（500℃, 30min）してCuO薄膜を作製し（以後それぞれをCuO(Cu3N)、CuO(Cu2O))、同処理MOCVD堆積CuO薄膜（以後CuO）を含めて特性比較を行った。熱起電力測定ではどちらも高温側電極が負となり、p型伝導であった。表面に形成したInドット間のI-V測定の結果、CuO(Cu3N)の抵抗値が最も小さくなった。傾きから求めた活性化エネルギーについて、全ての試料が110-130meVの範囲を示し、その差は5%程度と大きな違いはなく、キャリア供給源は同一と考えている。