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[16p-A304-5] PGSカソードを用いたスパッタリング法によるSnS薄膜の作製
キーワード:硫化スズ、スパッタリング
硫化スズ(SnS)は、安価で安全な薄膜太陽電池材料として期待されている。本研究では、圧力勾配式カソードを用いたRFスパッタリング法により、高効率な素子のベースとなるSnS薄膜の作製に取り組んだ。
従来のスパッタリング法で作製した場合、疎に米粒状の粒子が堆積したが、PGSモードでは高密度に柱状結晶が成長した。圧力勾配式カソードを用いることで、太陽電池に適した高密度な薄膜を得られることが示された。
従来のスパッタリング法で作製した場合、疎に米粒状の粒子が堆積したが、PGSモードでは高密度に柱状結晶が成長した。圧力勾配式カソードを用いることで、太陽電池に適した高密度な薄膜を得られることが示された。