[16p-A304-1~13] 13.9 化合物太陽電池

[16p-A304-9] MBEによるn型CdSnP₂の成膜

〇(M1)三浦 颯斗¹、住吉 壱心¹、野瀬 嘉太郎¹ (1.京大院工)

キーワード：分子線エピタキシー、CdSnP2、化合物半導体

当グループではZnSnP₂バルク太陽電池について最高変換効率3.87%を報告したが，更なる高効率化には，特にn型層/p-ZnSnP₂接合について改善の余地が大きい．本研究ではn型バッファ層としてCdSnP₂に着目し，MBEによる成膜条件の検討と成長過程の調査を行った．