[16p-A305-1~8] CS.2 3.4 レーザー装置・材料、3.13 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション

[16p-A305-8] pn埋込構造を有する半絶縁性InP基板上InGaAsP-MQW DFBレーザ

〇荒井 隼人¹、小林 亘^1,2、満原 学¹、進藤 隆彦¹、中島 史人¹ (1.NTT 先デ研、2.NTT DIC)

キーワード：DFBレーザ、通信

通信用の電界吸収型変調器集積DFBレーザは，一般的にn型InP基板上に半絶縁性(Semi-insulating, SI)InPによる埋込ヘテロ構造を用いて作製される[1]．これに対して, SI-InP基板上のレーザは変調器・レーザのn側・p側の両電極間の電気分離が容易であるため，差動駆動が実現できるという利点がある．しかし，SI基板上のレーザにおいては，n基板に比べて熱伝導率が低く自己発熱による光出力の低下が問題となる．この問題の解決に向け，本研究ではSI埋込構造に代えて高い電流狭窄性能と熱伝導率を期待できるpn埋込構造を採用してDFBレーザを作製し，注入電流による光出力ならびに発振波長の変化を調べたので報告する．