[16p-A401-1~17] 12.5 有機・ハイブリッド太陽電池

△ [16p-A401-11] 4元共蒸着法によるハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導体の導電性制御

〇中村 大介¹、劉 子豪¹、五月女 真人²、松下 智紀²、近藤 高志^1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

キーワード：ペロブスカイト太陽電池、真空蒸着法、導電性制御

ハロゲン化鉛ペロブスカイト型半導体においてp型/n型の導電性制御を実現できれば、全ペロブスカイトpin接合型太陽電池が作製できると期待される。これまでに我々は、CH₃NH₂、HI混合雰囲気化で固体 PbI₂を蒸着する3元共蒸着法を用いて、CH₃NH₂、HIの分圧制御によるCH₃NH₃PbI₃薄膜の導電性制御を報告した。今回我々はさらにガスソースH₂を加えた4元共蒸着法によりCH₃NH₃PbI₃薄膜を作製し、試料の導電性の評価を行なった結果を報告する。