[16p-A408-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

△ [16p-A408-12] MOS構造を用いたダイヤモンドNVセンターの電荷状態制御

〇韓 政旻^1,2、春山 盛善²、加藤 宙光²、小倉 政彦²、加藤 有香子²、牧野 俊晴^1,2 (1.筑波大、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、NVセンター、MOS構造

ダイヤモンドNVセンターの電荷状態を制御することは量子技術への応用で非常に重要である。本研究ではダイヤモンド基板上にMOS構造を作製し、ゲートバイアスを印加することでMOS界面付近に形成したNVセンターの電荷状態制御を試みた。ゲートバイアスを空乏側に印加することにより、蛍光スペクトルがNV⁰からNV^-に変化することを確認した。以上のようにMOS構造でのNVセンターの電荷状態制御に成功した。