[16p-A409-1~17] 6.1 Ferroelectric thin films

[16p-A409-1] RTA Effects of Epitaxial (K,Na)NbO₃ Thin Films on Si Substrates

〇Rei Ogawa¹, Kiyotaka Tanaka¹, Sang Hyo Kweon¹, Goon Tan², Isaku Kanno¹ (1.Kobe Univ., 2.Osaka Metropolitan Univ.)

Keywords:ferroelectric thin film, lead-free ferroelectric thin film

近年、非鉛圧電材料として(K,Na)NbO₃（KNN）が注目されている。我々は、Si基板上のエピタキシャルKNN薄膜をマッフル炉を用いたポストアニールにより、逆圧電定数|e_31,f|を6.1～6.5 C/m²に増加、また安定な分極の向きが下向きに変化することを報告した。一方、高温・長時間のアニールによりKNN薄膜中のKやNaの基板側への拡散が懸念される。本研究では、マッフル炉よりも昇温や冷却時間が短い急速加熱炉を用いてKNN薄膜をアニールし、結晶構造や圧電特性における効果を検討した。