The 70th JSAP Spring Meeting 2023

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.1 Ferroelectric thin films

[16p-A409-1~17] 6.1 Ferroelectric thin films

Thu. Mar 16, 2023 2:00 PM - 6:30 PM A409 (Building No. 6)

Isaku Kanno(Kobe Univ.), Takeshi Yoshimura(Osaka Metro. Univ.), Shintaro Yasui(Tokyo Tech), Shinya Yoshida(Shibaura Institute of Technology)

4:45 PM - 5:00 PM

[16p-A409-11] High quasi-shear mode excitation of c-axis tilted PbTiO3 epitaxial thin film grown on off-angle-cut single crystal substrate

Sota Kuninobu1,2, Takahiko Yanagitani1,2,3,4,5 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN, 3.JST-CREST, 4.JST-FOREST, 5.JST-START)

Keywords:Ferroelectric, PbTiO3 thin film, Electromechanical coupling coefficient

擬似すべりモードを励振する場合、ウルツ鉱や正方晶では、e33が大きくなると電気機械結合係数k352が大きくなる。これまでの我々の研究ではPTOスパッタエピ膜はkt2=33.5%を示すことを報告した。このPTOの高いe33を用いれば、巨大なk352を得る可能性がある。
本研究では、c軸が傾斜してエピタキシャル成長したPTO薄膜共振子を作製した。変換損失法を用いてc軸傾斜PTOエピタキシャル薄膜の厚みすべりモードに対する電気機械結合係数k352を推定した。