[16p-A409-1~17] 6.1 強誘電体薄膜

△ [16p-A409-11] オフ各基板を用いたc軸傾斜エピPbTiO₃薄膜の擬似横波励振特性

〇國信 聡太^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3,4,5 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST、5.JST-START)

キーワード：強誘電体、PbTiO3薄膜、電気機械結合係数

擬似すべりモードを励振する場合、ウルツ鉱や正方晶では、e₃₃が大きくなると電気機械結合係数k₃₅’²が大きくなる。これまでの我々の研究ではPTOスパッタエピ膜はk_t²=33.5%を示すことを報告した。このPTOの高いe₃₃を用いれば、巨大なk’₃₅²を得る可能性がある。
本研究では、c軸が傾斜してエピタキシャル成長したPTO薄膜共振子を作製した。変換損失法を用いてc軸傾斜PTOエピタキシャル薄膜の厚みすべりモードに対する電気機械結合係数k’₃₅²を推定した。