[16p-A409-1~17] 6.1 強誘電体薄膜

△ [16p-A409-6] 電界下X線回折による正方晶Pb(Zr,Ti)O₃膜における圧電応答の膜厚依存性の評価

〇(M1)中畑 美紀¹、岡本 一輝¹、石濱 圭佑¹、山田 智明²、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.名古屋大)

キーワード：圧電応答、正方晶PZT薄膜、ドメイン構造

強誘電体材料Pb(Zr, Ti)O₃(PZT)膜は、微小電気機械システム(MEMS)として幅広く応用されている。(100)/(001)配向正方晶PZT膜においては、外部電界がドメイン構造を大きく変化させ、それに起因する巨大な圧電応答を示す。ドメイン構造変化に起因する圧電応答は膜厚依存性を有する可能性があるが、その効果は十分に検討されていない。本研究では、パルスレーザー堆積法で正方晶PZT膜を作製し、その圧電応答の膜厚依存性を調査した。