[16p-A501-1~15] 3.10 フォトニック構造・現象（旧3.11）

[16p-A501-3] 半導体フォトニック結晶スラブにおける光学的非エルミート表皮効果

〇高田 健太^1,2、養田 大騎^1,2、森竹 勇斗³、納富 雅也^1,2,3 (1.NTT NPC、2.NTT物性基礎研、3.東工大)

キーワード：非エルミートフォトニクス、トポロジカルフォトニクス、フォトニック結晶

多数の固有モードが有限系においていずれかの端に局在する、非エルミート表皮効果と呼ばれるトポロジカル現象の研究が進んでいる。近年、この現象が損失と鏡映対称性の破れを有する単位胞に基づく二次元フォトニック結晶において、非相反効果無しで発現することが報告されている。しかし、従来の検討は実効的に高さ無限大の二次元シミュレーションに基づき、吸収損失の非常に大きい材料を仮定していた。今回我々は、現実的な半導体フォトニック結晶スラブ構造において、非エルミート表皮効果が生じることをシミュレーションで発見したため報告する。