[16p-B401-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-B401-12] Theoretical calculation of ±c GaN surface for understanding selective etching in alkali solution

〇Masatomo Sumiya¹, Masato Sumita² (1.NIMS, 2.RIKEN AIP)

Keywords:DF-MD, GaN surface oxidation, polarity

スピンを考慮した各GaN結晶表面の理論計算モデルを構築して密度半関数分子動力学計算（DF-MD）によってH₂Oによる表面酸素状態の面方位依存性を解析した。H₂Oに対して-c GaN表面で起こる化学吸着反応において、OH基が4配位に結合したGaのバックボンドに吸着して、反対側のNとの結合距離が大きくなることがDF-MD計算から示された。これはc面GaNの極性方向を判定する簡便なアルカリ溶液中での-c面選択エッチングを説明できる現象と考えたので報告する