[16p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-B401-12] ±c GaN極性面のアルカリ溶液選択エッチングに関する理論計算

〇角谷 正友¹、隅田 真人² (1.物材機構、2.理研AIP)

キーワード：密度半関数分子動力学計算、GaN表面、極性

スピンを考慮した各GaN結晶表面の理論計算モデルを構築して密度半関数分子動力学計算（DF-MD）によってH₂Oによる表面酸素状態の面方位依存性を解析した。H₂Oに対して-c GaN表面で起こる化学吸着反応において、OH基が4配位に結合したGaのバックボンドに吸着して、反対側のNとの結合距離が大きくなることがDF-MD計算から示された。これはc面GaNの極性方向を判定する簡便なアルカリ溶液中での-c面選択エッチングを説明できる現象と考えたので報告する