[16p-B401-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-B401-2] [The 1st Diversity & Inclusion Awards Young Female Researchers Award] Unrealized wavelength band deep ultraviolet laser diode

〇Maki Kushimoto¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:Laser, DUV, nitride semiconductor

AlGaNを用いた深紫外レーザーダイオード（LD）は、低コスト、高効率なレーザー光源として、殺菌、医療用途やセンシング、材料加工など様々な用途への応用が期待される。我々のグループでは、高品質AlN基板を用いたAlGaN結晶の品質改善や、分極ドーピング技術を用いたアンドープp側クラッド層を採用した構造設計に取り組み、2019年にパルス電流注入によるレーザー発振に成功した。その後プロセス起因の転位抑制や、電極設計、積層構造設計の改良により2022年室温連続波発振に成功するに至った。