[16p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-B401-2] [第1回ダイバーシティ＆インクルージョン賞 女性研究者研究奨励賞 受賞記念講演] 未踏波長帯域深紫外レーザーダイオード

〇久志本 真希¹ (1.名大院工)

キーワード：レーザー、深紫外、窒化物半導体

AlGaNを用いた深紫外レーザーダイオード（LD）は、低コスト、高効率なレーザー光源として、殺菌、医療用途やセンシング、材料加工など様々な用途への応用が期待される。我々のグループでは、高品質AlN基板を用いたAlGaN結晶の品質改善や、分極ドーピング技術を用いたアンドープp側クラッド層を採用した構造設計に取り組み、2019年にパルス電流注入によるレーザー発振に成功した。その後プロセス起因の転位抑制や、電極設計、積層構造設計の改良により2022年室温連続波発振に成功するに至った。