[16p-B401-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-B401-6] [The 53rd Young Scientist Presentation Award Speech] Design and fabrication of multiwavelength-emitting InGaN-based microstructures toward electrical control of emission spectra

〇Yoshinobu Matsuda¹, Haruyoshi Miyawaki¹, Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Nitride semiconductors, Multiwavelength emission, Microstructures

InGaN系マイクロ構造は，蛍光体フリーな多波長発光素子として有望である．最近当研究室では，レジストパターン転写による基板加工技術を用いてGaN表面に浅い傾斜角分布を形成し，局所的にIn組成を制御した多波長発光構造を作製している．特に，連続的な傾斜角分布を有するマイクロレンズ構造を用いることで，多波長発光InGaN LEDが作製できることを報告した．本発表では，自在な発光スペクトル制御を目的に，各波長成分を独立に電気制御可能なデバイスを作製するため，新規構造の検討を行ったので報告する．