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[16p-B401-6] [第53回講演奨励賞受賞記念講演] 発光スペクトルの電気制御を目指したInGaN系多波長発光構造の設計と作製
キーワード：窒化物半導体、多波長発光、マイクロ構造
InGaN系マイクロ構造は，蛍光体フリーな多波長発光素子として有望である．最近当研究室では，レジストパターン転写による基板加工技術を用いてGaN表面に浅い傾斜角分布を形成し，局所的にIn組成を制御した多波長発光構造を作製している．特に，連続的な傾斜角分布を有するマイクロレンズ構造を用いることで，多波長発光InGaN LEDが作製できることを報告した．本発表では，自在な発光スペクトル制御を目的に，各波長成分を独立に電気制御可能なデバイスを作製するため，新規構造の検討を行ったので報告する．