[16p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-B401-9] 水素雰囲気異方性熱エッチング（HEATE）法による GaN ナノホールの加工特性

〇本多 卓人¹、米田 幸司¹、相川 健喜¹、倉邉 海史¹、秋元 弥頼¹、菊池 昭彦^1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニックセンター、3.上智大半導体研究所)

キーワード：窒化ガリウム、ナノホール