[16p-B409-1~8] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[16p-B409-2] GaAs基板上InGaAs格子緩和層の組成と量子井戸の発光強度の相関調査

〇臼井 一旗¹、本部 好記¹、鈴木 秀俊¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：InGaAs、MOVPE

GaAs基板上メタモルフィックInGaAsは通信波長帯半導体レーザや太陽電池の材料系として重要である。完全緩和させて残留歪の無いデバイス層の実現のために、オーバーシュート層と呼ばれる格子定数を大きく変化させた層を導入することがある。本研究ではオーバーシュート層となるInGaAsバッファ層の組成を変えたものの上にレーザのクラッド層を成長し、その上に活性層となる量子井戸を成長した試料を複数作製し、発光強度が高いバッファ層の組成を実験的に調べたので報告する。