[16p-B409-1~8] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[16p-B409-3] InP(311)B 基板上 p ドープ 1550nm 帯量子ドットレーザの温度特性比較

〇矢吹 諒太¹、松本 敦²、勝原 龍海¹、赤羽 浩一²、へインサル シーム¹、松島 裕一¹、石川 浩¹、宇髙 勝之¹ (1.早大理工、2.NICT)

キーワード：量子ドット、半導体レーザ、温度特性

InP(311)B基板上に歪補償技術により多層積層した1550nm帯InAs/InGaAlAs量子ドットを用いたQD-LDを作製し、その温度特性について評価を行った。今回、温度特性のさらなる向上を狙ってバリア層に高濃度のｐドーピングを行うことで、高い温度安定性をもつ素子を実現した。また、温度特性について、ドープ濃度による比較及び積層数による比較をそれぞれ行った。