[16p-B414-1~16] 17.3 層状物質

[16p-B414-11] 共鳴トンネル効果を用いたツイスト2層WSe₂の価電子帯Γ点バンドの検出

〇木下 圭¹、守谷 頼¹、岡崎 尚太²、張 奕勁¹、増渕 覚¹、渡邊 賢司³、谷口 尚³、笹川 崇男²、町田 友樹^1,4 (1.東大生研、2.東工大フロンティア研、3.物材機構、4.CREST-JST)

キーワード：TMD、ツイスト、共鳴トンネル

本研究ではツイスト2層WSe₂(tBL WSe₂)/数層h-BN/3層WSe₂のトンネル接合を作製し、共鳴トンネル電流の測定によりtBL WSe₂の価電子帯Γ点バンドに関する情報を得た。tBL WSe₂​内のツイスト角度が0・2・4度のデバイスの電流-電圧特性を比較すると、全てのデバイスで検出できる電流ピークに加え、ツイスト角度が2・4度の場合には新たな電流ピークを観測した。これは、tBL WSe₂の局所的な積層構造から生じたΓ点バンドへの共鳴トンネルに起因すると考えている。