[16p-B414-1~16] 17.3 層状物質

[16p-B414-13] グラフェン/C-doped h-BN接合における欠陥アシストトンネル過程

〇瀬尾 優太¹、辻 悠基¹、木下 圭¹、小野寺 桃子¹、張 奕勁¹、増渕 覚¹、守谷 頼¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、町田 友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.CREST-JST)

キーワード：トンネル伝導、六方晶窒化ホウ素、欠陥

グラフェン/C-doped h-BN (BN:C)/グラファイト接合においてBN:C中の欠陥状態を介した欠陥アシスト共鳴トンネルを観測した。トンネルバリアの薄い素子では単一の欠陥を介したトンネル過程が支配的であり、トンネルバリアの厚い素子では二つの欠陥を介したシークエンシャルトンネル過程が支配的であることが示唆された。各過程において、弾性トンネル過程に加えて、h-BNのフォノンを介した非弾性トンネル過程が存在することを明らかにした。