[16p-B414-1~16] 17.3 Layered materials

△ [16p-B414-2] Reaction mechanism of the large-area monolayer MoS₂ via surface electrochemical method

〇Riku Mochizuki^1,2, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹, Daisuke Kiriya² (1.Osaka Metro. Univ., 2.The Univ. of Tokyo)

Keywords:transition metal dichalcogenide, molybdenum sulfide, monolayer

二次元半導体である二硫化モリブデンは、その単層の優れた電気的、光学的特性から次世代の光電子デバイス材料としての期待が高まっている。しかし現在広く用いられている単層作製手法は、得られる単層の結晶性やサイズに問題を抱えている。これを打開すべく、以前我々は表面電気化学反応を用いた新規単層単離手法を開拓し、実際に大面積の単層単離に成功した。本講演ではその詳細なメカニズムについて検討を行う。