[16p-B414-1~16] 17.3 層状物質

△ [16p-B414-2] 表面電気化学反応を用いた大面積単層MoS₂単離手法の原理討究

〇望月 陸^1,2、吉村 武¹、藤村 紀文¹、桐谷 乃輔² (1.阪公大院工、2.東大院総合)

キーワード：遷移金属カルコゲナイド、二硫化モリブデン、単層

二次元半導体である二硫化モリブデンは、その単層の優れた電気的、光学的特性から次世代の光電子デバイス材料としての期待が高まっている。しかし現在広く用いられている単層作製手法は、得られる単層の結晶性やサイズに問題を抱えている。これを打開すべく、以前我々は表面電気化学反応を用いた新規単層単離手法を開拓し、実際に大面積の単層単離に成功した。本講演ではその詳細なメカニズムについて検討を行う。